シンポジウム「来るべきナノCMOS時代に向けての挑戦とその課題」
IEEE EDS Japan Chapter Chair 石原 宏
Vice Chair 井川 康夫
IEEE EDS Japan Chapterが共催しております下記のシンポジウムを
開催いたします。奮ってご参加いただきますようご案内申し上げます。
会議名：シンポジウム「来るべきナノCMOS時代に向けての挑戦とその課題」
日時： 2005年4月27日(水)13:00-17:10、28日(木)9:30-17:35
会場： 早稲田大学 国際会議場 第3会議室
http://www.waseda.jp/jp/campus/nishiwaseda.html
（ここのマップ中の18番の建物内）
共催： IEEE EDS Japan Chapter, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会,
電気学会調査専門委員会, 電子情報通信学会ESシリコン材料・デバイス研究
専門委員会
参加費：共催会員5000円, 非会員6000円, 学生2000円
4月27日(水)
12:00 受付開始(混雑が予想されますので早めにお越しください)
13:00 Opening 1
13:05 シンポジウム趣旨説明 「ナノCMOSの将来」 岩井洋(東京工業大)
13:35 [招待講演]ダブルゲートMOSFET技術の現状と将来
鈴木英一,柳永勲,昌原明植,石井賢一(産業総合研究所)
14:00 [招待講演]Sub10nmCMOSと極限に向けての挑戦
最上徹,若林整(NEC)
14:25 ナノ領域トランジスタ構造に関する研究開発
小柳光正、福島 誉史(東北大)
14:50 10nmCMOSに向けた40nmデザインルールによる学独連携相乗りマスク製作
山田啓作(早稲田大学),知京豊裕(物質材料研究機構),
遠藤哲郎(東北大学),岩井洋(東京工業大学)
休憩
15:30 サブ10nmCMOS作製のための40nmノード微細MOS構造の原子レベルでの構造観察
知京豊裕,中島清美(物質材料研究機構),山田啓作(早稲田大学
),
岩井洋(東京工業大学)
15:55 ナノCMOSに向けた極浅接合形成と高誘電率ゲート絶縁膜技術
筒井一生,大見俊一郎,角嶋邦之,岩井洋(東京工業大学)
16:20 プラズマドーピングの浅い接合の測定手法
水野文二,金也国,佐々木雄一朗(UJT)
16:45 La2O3/Si選択ドライエッチングの検討
戸野谷純一(東芝)
4月28日(木)
8:30 受付開始(混雑が予想されますので早めにお越しください)
9:00 Opening 2
9:20 [招待講演]ナノCMOSに向けた研究活動に向けて
奥和田久美(文部科学省)
休憩
10:00 [招待講演]ナノシリコンテクノロジー 伊藤公平(慶応義塾大学,JST)
10:25 第一原理計算を用いた誘電率評価方法の開発とその超薄膜への応用
中村淳,涌井貞一,名取晃子(電気通信大学)
10:50 ナノCMOSにおける低消費電力化，特性ばらつき抑制と高性能化
平本俊郎,筒井元,南雲俊治,大藤徹,横山弘毅(東京大学)
11:15 ナノスケール素子におけるキャリヤ輸送 名取研二,来栖貴史,清水共(筑波大
学)
昼休み
13:00 ナノ領域表面・界面の物理構造評価技術の研究 立花明知(京都大学)
13:25 High-k 絶縁膜中の欠陥とトランジスタ特性の関係の理論的研究
白石賢二(筑波大学),梅澤直人(物質材料研究機構),鳥居和功,
赤坂泰志(SELETE),渡部平司(大阪大学),山部紀久夫(筑波大学
),
知京豊裕,大野隆央(物質材料研究機構),北島洋(SELETE),
有門経敏(東京エレクトロン),山田啓作(早稲田大学),奈良安雄
(SELETE)
13:50 La系酸化物/シリコン界面のHRTEMによる原子構造解析
田中信夫,山崎順(名古屋大学)
休憩
14:30 高誘電率ゲート絶縁膜/Si(100)界面遷移層の熱安定性
野平博司,服部健雄(武蔵工業大学)
14:55 プラズマ窒化により作製したシリコン酸窒化膜中の水素分布
今泉亮、細井重孝、中嶋薫、鈴木基史、木村健二（京都大学)
15:20 [招待講演]MEMSとCMOSの融合を考える 藤田博之,三田吉朗(東京大学
)
15:45 [招待講演]ナノデバイスの将来(仮題) 榊裕之(東大)
休憩
16:20 パネルディスカッション「来るべきナノCMOS時代に向けての挑戦とその課題」
モデレータ：岩井洋(東京工業大学)
パネリスト：木村紳一郎(日立製作所)、藤田博之(東京大学),小柳光正(東北
大),平本俊郎(東京大学),
立花明知(京都大学),安田幸夫(高知工科大)、福間雅夫(ＮＥＣ
エレクトロニクス)
17:30 Closing
事前の参加申し込みは必要ありません。
お問い合わせ：シンポジウム委員 東京工業大学総合理工学研究科 角嶋邦之
E-mail: kakushima@ae.titech.ac.jp
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