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IEEE EDS Japan Chapter Student Award

 

  IEEE EDS Japan Chapterは、学生研究者の学会活動を奨励し研究活動を活性化するために、2002年にJapan Chapter Student Awardを創設致しました。

本賞は、日本国内の大学、大学院に所属する若い学生研究者のなかで、電子デバイス技術への貢献が優れて大きいと認められる方に授与されます。具体的には、EDS主催の重要国際学会において、第一著者として口頭発表された学生研究者の中から、毎年12月に、数名の受賞者を選考致します。尚、主要学会での発表状況は、チャプター役員あるいはチャプターが委嘱した審査員が把握しておりますので、本賞への自薦・他薦は受け付けておりません。

また、対象者はIEEE EDS学生会員あるいは、本賞授与時までに入会申請手続きをとって頂ける方になります。学生会員入会手続きはIEEE東京支部のホームページhttp://www.ieee-jp.org/section/tokyo/adm/info/nyukai.htmをご参考下さい。

表彰式は、毎年1月のチャプター総会において挙行され、受賞者には、賞状盾が授与されます。


2009年 第8回 敬称略50音順)

 

受賞者: Miyuki Kouda 幸田 みゆき  (東京工業大学)
“Charged Defects Reduction in Gate Insulator with Multivalent Materials” (2009 Symp. on VLSI Technology)

受賞者: Ken Shimizu 清水 健 東京大学
“Physical Understandings of Si (110) Hole Mobility in Ultra-Thin Body pFETs by <110> and <111> Uniaxial Compressive Strain” (2009 IEDM)

受賞者: Makoto Suzuki 鈴木 誠 (東京大学)
“Post-Fabrication Self-Convergence Scheme for Suppressing Variability in SRAM Cells and Logic Transistors” (2009 Symp. on VLSI Technology)

受賞者: Tsunaki Takahashi  高橋 綱己 (東京工業大学)
“Direct Observation of Subband Structures in (110) pMOSFETs under High Magnetic Field: Impact of Energy Split Between Bands and Effective Masses on Hole Mobility”
 (2009 IEDM)

受賞者: Kiichi Tachi  舘 喜一 (東京工業大学)
“Relationship Between Mobility and High-k Interface Properties in Advanced Si and SiGe Nanowires”
 (2009 IEDM)

受賞者: Shuhei Tanakamaru  田中丸 周平 (東京大学)
“A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin” (2009 IEDM)

受賞者: Jiezhi Chen 陳 杰智 (東京大学)
“High Hole Mobility in Multiple Silicon Nanowire Gate-All-Around pMOSFETs on (110) SOI” (2009
Symp. on VLSI Technology)

受賞者: Kohei Nakanishi 中西 洸平 (筑波大学)
“Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations Under Nano-Scale Device Structures: Role of Coulomb Interaction, Degeneracy, and Boundary Condition”
 (2009 IEDM)

受賞者: Arifin Tamsir Putra 東京大学
“A New Methodology for Evaluating VT Variability Considering Dopant Depth Profile” (2009
Symp. on VLSI Technology)

受賞者: Kiyohito Morii 森井 清仁 (東京大学)
“High Performance GeO
/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping”  (2009 IEDM)

受賞者: Keita Yamaguchi  山口 慶太(筑波大学)
“Atomistic Guiding Principles for MONOS-Type Memories with High Program/Erase Cycle Endurance”  (2009 IEDM)

受賞者: Choong Hyun Lee 李 忠賢(東京大学)
“Record-high Electron Mobility in Ge n-MOSFETs Exceeding Si Universality”
 (2009 IEDM)

 

  

歴代受賞者 (敬称略、50音順)

2008年 第7

受賞者: Yusaku Kato 加藤 祐作 (東京大学)

"A Large-Area, Flexible, Ultrasonic Imaging System With A Printed Organic Transistor Active Matrix " (2008 IEDM)

 

受賞者: Shoma Kuga 久我 翔馬 (早稲田大学)

"Precise Detection Of Single Mismatched DNA With Functionalized Diamond Electrolyte Solution Gate FET" (2008 IEDM)

 

受賞者: Ken Shimizu 清水 健 (東京大学)

  "Experimental Investigation on the Origin of Direction Dependence of Si(110) Hole Mobility Utilizing Ultra-Thin Body pMOSFETs " (2008 IEDM)

 

受賞者: Jiezhi Chen (東京大学)

  "Experimental Study of Mobility in [110]- and [100]-Directed Multiple Silicon Nanowire GAA MOSFETs on (100) SOI" (2008 Symp. on VLSI Technology)

 

受賞者: Yousuke Nakakita  中北 要佑 (東京大学)

  "Interface-Controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers" (2008 IEDM)

 

受賞者: Yeon-Joo Jeong (東京大学)

  “Uniaxial Strain Effects on Silicon Nanowire pMOSFET and Single-Hole Transistor at Room Temperature (2008 IEDM)

 

 

2007年 第6

受賞者: Kenichi Abe 阿部 健一 (東北大学)

"Random Telegraph Signal Statistical Analysis using a Very Large-Scale Array TEG with 1M MOSFETs” 2007 Symp. On VLSI Technology

 

受賞者: Ken Shimizu 清水 健 (東京大学)

" Mobility Enhancement in Uniaxially Strained (110) Oriented Ultra-Thin Body Single- and Double-Gate MOSFETs  with SOI Thickness of Less Than 4 nm " 2007 IEDM

 

受賞者: Toshitake Takahashi 高橋 俊岳 (東京大学)

" Proof of Ge-Interfacing Concepts for Metal/High-k/Ge CMOS  -- Ge-Intimate Material Selection and Interface Conscious Process Flow --” 2007 IEDM

 

受賞者: Kazuyuki Hirama 平間 一行 (早稲田大学)

" High-Performance P-Channel Diamond MOSFETs  with Alumina Gate Insulator” 2007 IEDM

2006年 第5
大藤徹(東京大学)、小林正治(東京大学)

2005年 第4
加藤祐作(東京大学)、上村崇史(大阪大学)、黒田理人(東北大学)、筒井元(東京大学)、山村 傑(大阪大学)

2004年 第3 
伊藤浩之(東京工業大学)、入江宏(東京大学)、上村崇史(大阪大学)、河野剛士(豊橋技術科学大学)、齋藤真澄(東京大学)

2003年 第2
石川寧(東北大学)、入江宏(東京大学)、上村崇史(筑波大学)、齋藤真澄(東京大学)

2002年 第1
天野建(東京工業大学)、小林大輔(東京大学)、齋藤真澄(東京大学)、中辻広志(大阪大学)、細井卓治(大阪大学)