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IEEE EDS Japan Chapter Student Award

　 IEEE EDS Japan Chapterは、学生研究者の学会活動を奨励し研究活動を活性化するために、2002年にJapan Chapter Student Awardを創設致しました。

本賞は、日本国内の大学、大学院に所属する若い学生研究者のなかで、電子デバイス技術への貢献が優れて大きいと認められる方に授与されます。具体的には、EDS主催の重要国際学会において、第一著者として口頭発表された学生研究者の中から、毎年12月に、数名の受賞者を選考致します。尚、主要学会での発表状況は、チャプター役員あるいはチャプターが委嘱した審査員が把握しておりますので、本賞への自薦・他薦は受け付けておりません。

また、対象者はIEEE　EDS学生会員あるいは、本賞授与時までに入会申請手続きをとって頂ける方になります。学生会員入会手続きはIEEE東京支部のホームページhttp://www.ieee-jp.org/section/tokyo/adm/info/nyukai.htmをご参考下さい。

表彰式は、毎年1月のチャプター総会において挙行され、受賞者には、賞状盾が授与されます。

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2011年　第10回　（敬称略，50音順， 2012年2月1日授与）

IEEE EDS Japan Chapter Student Award (VLSI)

Rui Zhang （東京大学）

“High Mobility Ge pMOSFETs with ~1nm Thin EOT Using Al₂O₃/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation”

SangHyeon Kim　（東京大学）

“High Performance Extremely-Thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering”

Yasuhiro Nakajima　（東京大学）

“Phase Transformation Kinetics of HfO₂ Polymorphs in Ultra-Thin Region”

IEEE EDS Japan Chapter Student Award (IEDM)

Yoshiharu Yonai 　（東京工業大学）

“High drain current (>2A/mm) InGaAs channel MOSFET at V_D=0.5V with shrinkage of channel length by InP”

Teruyuki Ohashi 　（東京工業大学）

“Experimental Evidence of Increased Deformation Potential at MOS Interface and Its Impact on Characteristics of ETSOI FETs”

Tsunaki Takahashi （東京工業大学）

“Thermal-Aware Device Design of Nanoscale Bulk/SOI FinFETs: Suppression of Operation Temperature and Its Variability”

Tomoyuki Yokota 　（東京大学）

“Sheet-type Organic Active Matrix Amplifier System using V_th-Tunable, Pseudo-CMOS Circuits with Floating-gate Structure”

歴代受賞者　（敬称略、50音順）

2010年　第9回　

Naotoshi Kadotani　角谷　直哉　（東京工業大学）
“Anomalous Electron Mobility in Extremely-Thin SOI (ETSOI) Diffusion Layers with SOI Thickness of Less Than 10 nm and High Doping Concentration of Greater Than 1x10¹⁸cm^-3” (2010 IEDM)

Sang Hyeon Kim 金　相賢（東京大学）
“Self-aligned Metal Source/Drain In_xGa_1-xAs n-MOSFETs Using Ni-InGaAs Alloy” (2010 IEDM)

Choong Hyun Lee 李　忠賢　（東京大学）
“Ge MOSFETs Performance: Impact of Ge Interface Passivation” (2010 IEDM)

Xiaowei Song　宋　驍嵬　（東京大学）
“Impact of DIBL Variability on SRAM Static Noise Margin Analyzed by DMA SRAM TEG” (2010 IEDM)

Makoto　Suzuki　鈴木　誠　（東京大学）
“Direct Measurements, Analysis, and Post-Fabrication Improvement of Noise Margins in SRAM Cells Utilizing DMA SRAM TEG” (2010 Symp. on VLSI Technology)

Kiichi Tachi 　舘　喜一　（東京工業大学）
“Experimental Study on Carrier Transport Limiting Phenomena in 10 nm Width Nanowire CMOS Transistors” 　(2010 IEDM)

Keita Yamaguchi 　山口　慶太　（筑波大学）
“Universal Guiding Principle for the Fabrication of Highly Scalable MONOS-Type Memories -Atomistic Recipes Based on Designing Interface Oxygen Chemical Potential-” (2010 IEDM)

2009年　第8回　

受賞者：　Miyuki　Kouda　幸田　みゆき　 （東京工業大学）
“Charged Defects Reduction in Gate Insulator with Multivalent Materials” (2009 Symp. on VLSI Technology)

受賞者：　Ken Shimizu　清水　健　（東京大学）
“Physical Understandings of Si (110) Hole Mobility in Ultra-Thin Body pFETs by <110> and <111> Uniaxial Compressive Strain” (2009 IEDM)

受賞者：　Makoto　Suzuki　鈴木　誠　（東京大学）
“Post-Fabrication Self-Convergence Scheme for Suppressing Variability in SRAM Cells and Logic Transistors” (2009 Symp. on VLSI Technology)

受賞者：　Tsunaki Takahashi 　高橋　綱己　（東京工業大学）
“Direct Observation of Subband Structures in (110) pMOSFETs under High Magnetic Field: Impact of Energy Split Between Bands and Effective Masses on Hole Mobility” 　(2009 IEDM)

受賞者： Kiichi Tachi 　舘　喜一　（東京工業大学）
“Relationship Between Mobility and High-k Interface Properties in Advanced Si and SiGe Nanowires” 　(2009 IEDM)

受賞者：　Shuhei Tanakamaru 田中丸　周平　（東京大学）
“A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin” (2009 IEDM)

受賞者：　Jiezhi Chen　陳　杰智　（東京大学）
“High Hole Mobility in Multiple Silicon Nanowire Gate-All-Around pMOSFETs on (110) SOI” (2009 Symp. on VLSI Technology)

受賞者：　Kohei Nakanishi　中西　洸平　（筑波大学）
“Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations Under Nano-Scale Device Structures: Role of Coulomb Interaction, Degeneracy, and Boundary Condition” 　(2009 IEDM)

受賞者：　Arifin Tamsir Putra　（東京大学）
“A New Methodology for Evaluating VT Variability Considering Dopant Depth Profile” (2009 Symp. on VLSI Technology)

受賞者： Kiyohito Morii　森井　清仁　（東京大学）
“High Performance GeO₂/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping” (2009 IEDM)

受賞者： Keita Yamaguchi 　山口　慶太（筑波大学）
“Atomistic Guiding Principles for MONOS-Type Memories with High Program/Erase Cycle Endurance” (2009 IEDM)

受賞者：　Choong Hyun Lee 李　忠賢（東京大学）
“Record-high Electron Mobility in Ge n-MOSFETs Exceeding Si Universality”　(2009 IEDM)

2008年　第7回

受賞者：　Yusaku Kato　加藤　祐作　(東京大学)

"A Large-Area, Flexible, Ultrasonic Imaging System With A Printed Organic Transistor Active Matrix " (2008 IEDM)

受賞者：　Shoma Kuga　久我　翔馬　(早稲田大学)

"Precise Detection Of Single Mismatched DNA With Functionalized Diamond Electrolyte Solution Gate FET" (2008 IEDM)

受賞者：　Ken Shimizu　清水　健　(東京大学)

　　"Experimental Investigation on the Origin of Direction Dependence of Si(110) Hole Mobility Utilizing Ultra-Thin Body pMOSFETs " (2008 IEDM)

受賞者：　Jiezhi Chen　(東京大学)

　　"Experimental Study of Mobility in [110]- and [100]-Directed Multiple Silicon Nanowire GAA MOSFETs on (100) SOI" (2008 Symp. on VLSI Technology)

受賞者：　Yousuke Nakakita　　中北　要佑　(東京大学)

　　"Interface-Controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers" (2008 IEDM)

受賞者：　Yeon-Joo Jeong　(東京大学)

　　“Uniaxial Strain Effects on Silicon Nanowire pMOSFET and Single-Hole Transistor at Room Temperature” (2008 IEDM)

2007年　第6回

受賞者：　Kenichi Abe　阿部　健一　(東北大学)

"Random Telegraph Signal Statistical Analysis using a Very Large-Scale Array TEG with 1M MOSFETs” （2007 Symp. On VLSI Technology）

受賞者：　Ken Shimizu　清水　健　(東京大学)

" Mobility Enhancement in Uniaxially Strained (110) Oriented Ultra-Thin Body Single- and Double-Gate MOSFETs  with SOI Thickness of Less Than 4 nm " （2007 IEDM）

受賞者：　Toshitake Takahashi　高橋　俊岳　(東京大学)

" Proof of Ge-Interfacing Concepts for Metal/High-k/Ge CMOS -- Ge-Intimate Material Selection and Interface Conscious Process Flow --” （2007 IEDM）

受賞者：　Kazuyuki Hirama　平間　一行　(早稲田大学)

" High-Performance P-Channel Diamond MOSFETs  with Alumina Gate Insulator” （2007 IEDM）

2006年　第5回
大藤徹（東京大学）、小林正治（東京大学）

2005年　第4回
加藤祐作（東京大学）、上村崇史（大阪大学）、黒田理人（東北大学）、筒井元（東京大学）、山村　傑（大阪大学）

2004年　第3回　
伊藤浩之（東京工業大学）、入江宏（東京大学）、上村崇史（大阪大学）、河野剛士（豊橋技術科学大学）、齋藤真澄（東京大学）

2003年　第2回
石川寧（東北大学）、入江宏（東京大学）、上村崇史（筑波大学）、齋藤真澄（東京大学）

2002年　第1回
天野建（東京工業大学）、小林大輔（東京大学）、齋藤真澄（東京大学）、中辻広志（大阪大学）、細井卓治（大阪大学）