IEEE EDS Japan Chapter 会員各位
IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位
IEEE SSCS Japan Chapter 会員各位
IEEE SSCS Kansai Chapter 会員各位
IEEE Electron Devices Society Japan Chapter
Chair 鳥海 明
Vice Chair 最上 徹
以下の通り 国際ワークショップ 2013 IWDTF が投稿論文を募集中ですのでご案内申し上げます。奮ってご投稿下さい。
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国際会議 2013 IWDTF 論文募集のご案内
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2013 International Workshop on DIELECTRIC
THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY -
『次世代電子デバイスのための誘電体薄膜:科学と技術に関する2013年国際ワークショップ』 (2013 IWDTF)
日程:2013年11月7日(木)〜9日(土)
場所:筑波大学 東京キャンパス文京校舎(東京都文京区大塚3-29-1)
主催: 応用物理学会
http://home.hiroshima-u.ac.jp/iwdtf/
ゲート絶縁膜を始めとする様々な誘電体薄膜と,それを利用した電子デバイス周辺技術に関する論文を広く募集致します。
論文投稿期限は2013年7月27日です。奮ってご投稿をお願い致します。
尚,本会議の論文特集号はJapanese
Journal of Applied Physics誌から刊行される予定です。
【トピック】
・Ultrathin silicon dioxide, oxynitride and oxide-nitride composite dielectrics
・High-k dielectrics and Metal electrodes
・Mobility enhancement technology
(including nanowires, CNT/graphene/2D
materials, and 3D devices)
・Growth and related process of dielectric
films
・Electrical characterization of
dielectrics
・Gate dielectric wearout
and reliability (including RTN)
・Characterization and control of gate
dielectric/semiconductor interfaces
(Si, SiC, Ge, SiGe, III-V etc), including
junction technology
・Surface preparation and cleaning issues
for dielectrics
・Dielectric reliability related to process
integration
・Theoretical approaches to
dielectrics/semiconductor structure
・Surface passivation technology
(including application to photovoltaics and organic thin film devices)
・Memory applications (including
ferroelectric, resistive RAM, Flash memory etc)
・Power device, sensor, analog, display,
and other applications
【基調講演】
Naoki Yokoyama (AIST) :
"Development of Core Technologies for
Green Nanoelectronics"
Kathy Barla
(IMEC) :
"Materials challenges for 10nm
technology and beyond"
【招待講演】
Tibor Grasser (TU Wien) : "Recent Advances in Understanding Oxide
Traps in pMOS Transistors"
Tetsuo Hatakeyama
(AIST) : "Evaluation of traps at 4H-SiC/SiO2 interface "
Steven Hung (Applied Materials) : (to be announced)
Hiroshi Miki (Hitachi) : "Measurement
and Analysis of Random Telegraph Noise (RTN) in Highly Scaled MOSFETs with
High-k / Metal-gate Stacks"
Uwe Schroeder (NaMLab GmbH) :
"Non-Volatile Data Storage in HfO2-Based Ferroelectric FETs"
Kazuhito Tsukagoshi (NIMS MANA) : "Transport
Tuning in Atomic Scale Conduction Films"
Robert Wallace (UT Dallas) : "In-situ
Studies of High-k/High-mobility Interfaces"
Peide Ye (Purdue Univ) : "ALD High-k on
III-V: Interfaces and Devices"
【論文投稿締切: 2013年7月27日 (土) 】
2013 IWDTFウェブサイトの投稿画面より投稿論文(A4用紙2頁のPDFファイル、英文)を受付けます。詳細はウェブサイトでご確認ください。
http://home.hiroshima-u.ac.jp/iwdtf/
【運営組織】
組織委員長:丹羽正昭(東北大学)
組織副委員長:金田千穂子(富士通研究所)
実行委員長:由上二郎(日立国際電気) 実行副委員長:喜多浩之(東京大学)
論文委員長:影島博之(NTT)
論文副委員長:高木信一(東京大学) 山田廉一(日立製作所)
【事務局】
2013 IWDTF事務局 大毛利健治(筑波大学)
〒305-8571 茨城県つくば市天王台 1-1-1
筑波大学大学院 数理物質科学研究科ナノテクノロジー専攻
電話/FAX:029-853-5289 E-mail: ohmori.kenji.ff@u.tsukuba.ac.jp
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ED-15 Secretary
東京大学 大学院工学系研究科
マテリアル工学専攻
喜多浩之
TEL./FAX. 03-5841-7164
kita@scio.t.u-tokyo.ac.jp
kita@adam.t.u-tokyo.ac.jp