IEEE EDS Japan Chapter 会員各位
IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位


IEEE Electron Devices Society Japan Chapter

Chair 鳥海 明
Vice Chair 最上 徹

DL(Distinguished Lecturer)講演会(5/21,5/23)のお知らせ

IEEE EDS Distinguished Lecturerの John Robertson教授(Cambridge University)による下記の2回のDL講演会を開催致します。
皆様のご参加を頂きたくご案内申し上げます。(5/21 東大,5/23 東工大: 講演内容は異なります)

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1. J. Robertson教授DL @東大本郷

【日 時】 平成24年5月21日(月) 午後3時〜

【会 場】 東京大学(本郷キャンパス) 工学部4号館 205 セミナー室
(東京都文京区本郷7-3-1,最寄り駅:東京メトロ 東大前,根津,本郷三丁目)
会場地図は下記サイトをご参照下さい。
http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_05_j.html
*参加費、事前申込みは不要です。直接会場にお越し下さい。

【講演者】 Prof. John Robertson
Cambridge University, Engineering Dept, Cambridge CB2 1PZ, UK

【タイトル】
Passivation of GaAs and Ge Interface Defects for FETs

【概要】
Continued scaling of microelectronic devices requires the use of high mobility semiconductors such as GaAs, InGaAs or Ge. However, historically,it was always difficult to passivate their surfaces and interfaces to make functioning FETs. Recently, there has been considerable practical advances towards making high mobility FETs for example using oxides made by atomic layer deposition. But the underlying causes of the difficult passivation are not really understood. I argue that interface passivation requires two things for III-Vs; that the bonding at the interface satisfies electron counting rules following the ideas of Harrison [1] and Pashley [2],
and secondly that there is an oxide layer acting as a good oxygen diffusion barrier to prevent subsurface preferential oxidation in the case of III-Vs, or the movement of O vacancies to release volatile GeO in the case of Ge.
1. W A Harrison, J Vac Sci Technol 16 1492 (1979)
2. M D Pashley, Phys Rev B 40 10481 (1989)
3. J Robertson, L Lin, App Phys Lett 99 222906 (2011)

<現地連絡先>
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
鳥海 明
〒113-8656 東京都文京区本郷7-3-1
TEL. 03-5841-7120

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2. J. Robertson教授DL @東工大すずかけ台

【日 時】 平成24年5月23日(水) 午後4時〜5時

【会 場】東京工業大学すずかけ台キャンパス
J2棟20階 中会議室
(横浜市緑区長津田町4259、最寄り駅:東急田園都市線すずかけ台駅)
会場地図は下記サイトをご参照下さい。
http://www.titech.ac.jp/about/campus/s_map.html
*参加費、事前申込みは不要です。直接会場にお越し下さい。

【講演者】 Prof. John Robertson
Cambridge University, Engineering Dept, Cambridge CB2 1PZ, UK

【タイトル】
"Passivation Principles for Ge MOSFETs"

【概要】
The high electron and hole mobility of Ge makes it of great interest for future scaled CMOS. However, direct passivation of its interfaces has been problematic, without using Si interlayers. This arises from the narrower band gap of GeO2, the lower passivation effect of hydrogen, and other factors. I go through the various factors influencing passivation using La, Hf, or Al oxides or nitridation, in terms of interface bonding, band offsets, phase separation and as diffusion barriers. Al2O3 comes out as having useful properties.

<現地連絡先>
東京工業大学 フロンティア研究機構
岩 井 洋
〒226-8502 横浜市緑区長津田町4259
Mail-Box:J2-68
TEL:045-924-5471
FAX:045-924-5584
E-mail:iwai.h.aa@m.titech.ac.jp

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IEEE EDS Japan Chapter 連絡先:
Secretary 喜多浩之
E-mail:kita@scio.t.u-tokyo.ac.jp
Web page :http://www.ieee-jp.org/section/tokyo/chapter/ED-15/
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