IEEE Japan Council 会員各位
IEEE Electron
Devices Society
Chair 黒 部 篤
Vice Chair 小柳 光正
IEEE EDS Japan Chapterでは、本年11月に下記のDL(Distinguished Lecturer)講演会を開催致します。多くの皆様に参加頂けますようご案内申し上げます。
*** IEEE EDS Japan Chapter DL(Distinguished Lecturer)講演会 ***
【日時】 2007年11月28日(水)
【場所】 東京工業大学 大岡山キャンパス
南３号館 Ｓ３２１講義室
http://www.titech.ac.jp/access-and-campusmap/j/o-okayamaO-j.html
（図中３２番の建物の２階）
【主催】 IEEE EDS Japan Chapter
参加無料・事前登録は必要ございません。
また、IEEE非会員の方もご参加頂けます。
【アジェンダ】
14:00 - 15:00 「ゲート制御ホットエレクトロントランジスタ」
宮本 恭幸 （東京工業大学 電子物理工学専攻）
15:00 - 16:00 「シリコンナノクリスタルデバイス」
小田 俊理 （東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター）
16:00 - 17:00 「オンチップ伝送線路配線技術」
益 一哉 （東京工業大学 統合研究院）
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------
講演要旨
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------
講演題目： ゲート制御ホットエレクトロントランジスタ
講演者 ： 宮本 恭幸 （東京工業大学 電子物理工学専攻）
講演要旨：
最近のInP系HBTでは、遮断周波数765GHzが報告されているが、その推定される電子速度は、完全無散乱時のバリステック走行に較べると約半分である。そこで、電子ランチャからの電子が真性半導体中のみを走行するゲート制御ホットエレクトロントランジスタを提案する。モンテカルロ・シミュレーションによる1THz以上の遮断周波数と共に、ショットーキーゲート制御によるトランジスタでの電圧・電流利得、および絶縁ゲート制御による電流制御と200kA/cm2の電流密度について報告する。
講演題目： シリコンナノクリスタルデバイス
講演者 ： 小田 俊理 （東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター）
講演要旨：
ムーアの法則に従って着実に進展してきたCMOS集積回路も、加工寸法がナノスケールになると、極薄ゲート絶縁膜のトンネル電流の増大や、スイッチングに関与する電子数の減少によるデバイス動作のばらつきなど量子効果の負の側面が顕在化してきている。一方、ナノ微細加工技術の進展により量子効果を示すシリコンナノ構造の作製が可能になり、バルク
結晶とは全く異なる興味深い現象が報告されている。このような量子効果を積極的に活用した新しいデバイス原理やアーキテクチュアが待望されている。
我々は、VHFプラズマセル中でシランガスを分解して粒径１０nm以下のナノ結晶シリコンを作製した。ナノ電極を形成して、ナノ結晶シリコン量子ドットの電子輸送特性を測定すると、明瞭な単電子トランジスタ、単電子メモリの特性を観測することが出来た。表面酸化したナノ結晶シリコンからは直接遷移的な高効率可視光発光が、ナノ結晶シリコン積層構造からはバリスティック電子放出が観測されている。これらの量子効果物性は将来の集積回路応用に大変有望である。
講演題目： オンチップ伝送線路配線技術
講演者 ： 益 一哉 （東京工業大学 統合研究院）
講演要旨：
スケーリング則に従った微細化により Si CMOS LSIは高性能化低コスト化を実現してきたが、ナノメータ世代に入った現在、材料、プロセス、デバイス、回路の各レベルで多くの課題に直面してしている。回路における課題のひとつが長距離配線における信号伝送とインテグリティである。これの克服技術としての伝送線路配線技術について紹介する。また、他のいくつかのグローバル配線技術との比較についても議論する。
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【本件に関する連絡・問合せ先】
IEEE EDS Japan Chapter Secretary 百瀬 寿代
(株)東芝 半導体研究開発センター
〒235-8522 横浜市磯子区新杉田町8
phone:
045-776-5695
fax: 045-776-4104
email: hisayo.momose@toshiba.co.jp