IEEE CPMT Society Japan Chapter

2015 第4回IEEE CPMT Society Japan Chapter イブニングミーティング
2015 4th IEEE CPMT Society Japan Chapter Evening Meeting
（開催報告）

主催: IEEE CPMT Society Japan Chapter

日時：2015年11月27日(金) 17:15 - 19:15
(受付開始 : 17:00)

場所：東京大学本郷キャンパス工学部1号館15号講義室
〒113-8654 文京区本郷7-3-1

概要

Abstract

概要

　半導体デバイスの小型化に伴い、従来のブレードダイシングにおいてウエハ使用効率の低下、加工時間の増加、および歩留まりの低下といった問題が顕在化してきている。これら問題の解決に向け、われわれは貴金属触媒を用いたSiの異方性ウェットエッチング技術を応用し、ウエハ全面を化学的に一括加工する高精度かつ生産性の高いケミカルダイシング技術を開発した。触媒エッチングによる微細な垂直加工を実現するため、エッチング反応中の物質移動メカニズムとサイドエッチング発生メカニズムを明確化し、触媒形状とエッチング液組成の適正化により、深さ100 μm以上で幅10 μm以下の加工を可能とした。
Abstract

　As semiconductor devices are reduced in size, the use efficiency of wafer, throughput, and process yield tend to decrease in blade dicing process. As these solutions, a novel wafer dicing method called Chemical Dicing has been developed. In comparison with conventional blade dicing method, Chemical Dicing has the advantages of high throughput, narrow dicing line width, and high chip strength due to anisotropic wet etching using noble metal catalysis. In order to form deep vertical trenches for Chemical Dicing, the catalytic wet etching mechanisms and appropriate conditions for Chemical Dicing have been verified. The results show that the shape of the trenches can be controlled by a catalyst and an etchant composition, and Chemical Dicing can fabricate vertical trenches with a depth greater than 100 μm and width less than 10 μm. The results are expected to contribute to the development of future dicing techniques.