IEEE CPMT Society Japan Chapter

2015 第1回IEEE CPMT Society Japan Chapter イブニングミーティング
2015 1st IEEE CPMT Society Japan Chapter Evening Meeting
（開催報告）

主催: IEEE CPMT Society Japan Chapter

日時：2015年2月26日(木) 17:15 - 19:15
(受付開始 : 17:00)

場所：新川崎創造の森 NANOBIC

会場アクセス

ＪＲ横須賀線新川崎駅から徒歩１０分
http://www-06.ibm.com/ibm/jp/about/office/map/shinkawasaki.html
(上記WEBサイトは、IBMの新川崎事業所の地図となっています。
Google Map では、KBICを指していますが、
NANOBICは、KBICより更に奥の建物となっていますので、ご注意ください。)

概要

₂

₃

₂

Abstract

₂

₃

₂

概要

モバイル機器の薄型化とともに、基板の薄型化が求められている。しかし、現状の実装温度は、基板材料のガラス転移温度より高いため、基板や部品の反りが発生しやすい。これまで、低温導電材料として、導電粒子を樹脂に分散した接着剤があり低温接着は可能になっている。しかし、これらの材料では金属的な接合は得られず、現行のはんだ接合の代替となる信頼性を得るに至っていない。本報では、はんだ接合による導電性と硬化樹脂補強による機械的強度を同時に満足することで、基材のガラス転移温度以下での表面実装を実現した２種類のSnBiはんだ系低温接合材料を紹介する。一つは部品接合において、160℃4分での金属接合と樹脂補強を可能とした。また、フラックスディップ工法と併用することで従来の低温接合材料の課題であった落下衝撃特性を改善することができた。また、コネクタ接合においては、150℃６秒１MPaの低温、単時間、低圧力で200μmピッチ対応可能な異方導電性ペーストを開発した。
Abstract

As mobile devices become thinner, the thinner PWBs for mobile devices are required. However, the current reflow temperature is higher than the substrate glass transition temperature. As the result, the warpage of the substrate and components on PCB occur easily. Until now, although conductive adhesive as low temperature conductive material has existed, which is the mixture of conductive particles and thermosetting resins, the reliability of these adhesives is not as good as the reliability of current solder joint due to no metallic connection. This report introduces two types of SnBi low temperature joining materials which realize both conductivity and mechanical strength by solder joint and resin reinforcement at soldering temperature below the glass transition temperature of PWB. One is for component connection; both metallic bond and resin reinforcement are completed at 160degC/4min. With additionally using flux dipping process, the drop impact performance, which is one of the current problems on low temperature joining materials, is improved. For connector connection, we also have ACP material applicable for 200μmP at low temperature (150deg.C.), short time (6seconds), and low pressure (1MPa).