「高周波パワーデバイス高効率化」ワークショップ

2012年 10月 13日 (土)  13:00 - 17:30
株式会社村田製作所 長岡京市

概要
 近年、パワーデバイスの高周波化が進み、マイクロ波に近づきつつあります。
一方、マイクロ波デバイスもマグネトロンや増幅器、レクチナ等をパワーデバイ
スとして見ることもできます。効率が要求されるデバイスの技術について、電源
とマイクロ波の分野の融合が起こりつつあり、従来のマイクロ波やデバイス技術
にとらわれることなく全体を俯瞰してみることは、今後の技術発展にとって有益
と考えます。
 今回、電源からマイクロ波までの高効率パワーデバイスの各分野の第一人者を
お招きして,最新の研究開発動向についてご講演をいただき,幅広い議論を行い
ます。

参加者内訳
 参加人数 78名 (IEEE会員37名、非会員41名)


ワークショップ風景

Technical Committee Chair 島崎 仁司氏あいさつ   ワークショップ司会 井上 晃氏

テーマ: 「高周波パワーデバイス高効率化」
オーガナイザ&司会: 井上 晃(三菱電機)

講演1.
タイトル:GaN ショットキバリアダイオードとマイクロ波レクテナ回路
講師:大野 泰夫 氏(徳島大学)



講演2.
タイトル:高効率発振素子マグネトロンの技術進歩と将来展望
講師:小畑 英幸 氏(新日本無線)



講演3.
タイトル:高周波パワーエレクトロニクスとワイヤレス給電の高効率化
講師:細谷 達也 氏(村田製作所)



講演4.
タイトル:GaNパワーデバイスの高効率化-スイッチング・高周波用途に向けて-
講師:田村 聡之 氏 (パナソニック)





会場の様子