IEEE EDS Japan Chapter 会員各位

IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位

IEEE SSCS Japan Chapter 会員各位

IEEE SSCS Kansai Chapter 会員各位

 

 

                   IEEE Electron Devices Society Japan Chapter

                                            Chair  鳥海

                                       Vice Chair  最上

 

 

以下の通り,来年1月に超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)の成果報告会

が開催されますのでご案内致します。奮ってご参加ください。

 

 

「第三回 低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」

               開催のご案内

 

来る2014123()、超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、

第三回「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」を

東京大学 伊藤国際学術研究センターにて開催する運びとなりましたので、

ここにご案内申し上げます。

 

主催  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

 共催  独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)

 協賛  独立行政法人 産業技術総合研究所 (AIST)

 後援  つくばイノベーションアリーナ (TIA)

 

日時:平成26123()

 13:0017:40 (意見交換会 17:5019:15)

 

■会場: 東京大学 伊藤国際学術研究センター

- 成果報告会 B2 伊藤謝恩ホール

- 意見交換会 B2 多目的スペース

 

■プログラム(予定)

 

13:00  主催者挨拶                            理事長 豊木 則行

13:05  開会挨拶           経済産業省 研究開発課長 渡邊 昇治

13:15  プロジェクト概況            プロジェクトリーダー 住広 直孝

13:30  CMOSの超低電圧動作を実現するナノトランジスタ構造デバイス

                                                            杉井 信之

14:00  原子移動型スイッチを用いた超低電圧・不揮発デバイス 波田 博光

14:30  休憩20

14:50  磁性変化材料を用いた超低電圧・不揮発デバイス    杉井 寿博

15:20  相変化材料を用いた超低電圧・不揮発デバイス     高浦 則克

15:50  三次元ナノカーボン配線・材料技術          酒井 忠司

16:20  閉会挨拶    ()新エネルギー・産業技術総合開発機構

             電子・材料・ナノテクノロジー部長 岡田

16:30  ポスターセッション

17:40  ポスターセッション終了

17:50  意見交換会

 

■参加登録方法 (参加費無料 定員300)

 

  1.下記、申込みページへアクセスください。

    http://www.leap.or.jp/seikahoukokukai.html

  2.表示された参加申込み画面に必要事項を入力してください。

    必要事項を入力後、表示される案内に従ってご登録ください。

  3.E-mailで受付完了のお知らせが届きますので、その参加証をプリント

       アウト(印刷)し、報告会当日に会場へご持参ください。

 

■締め切り:2014110()

 

■詳細は下記ウェブサイトをご参照下さい。

http://www.leap.or.jp/seikahoukokukai.html

 

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 LEAP成果報告会事務局

 (株式会社勁草書房コミュニケーション事業部内)

 E-Mail: leap_2013@keiso-comm.com

 Tel: 03-3814-7112

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