IEEE CPMT Society Japan Chapter

2015 第3回IEEE CPMT Society Japan Chapter イブニングミーティング
2015 3rd IEEE CPMT Society Japan Chapter Evening Meeting
（開催報告）

主催: IEEE CPMT Society Japan Chapter

日時：2015年10月9日(金) 17:15 - 19:15
(受付開始 : 17:00)

場所：東京大学本郷キャンパス工学部1号館15号講義室
〒113-8654 文京区本郷7-3-1

概要

　SiCパワーデバイスは、Siパワーデバイスに比べ、高効率の動作、および、200~250℃の高温での動作が可能などの特徴が期待されている。特に高温動作については、冷却効率の向上による冷却器の小型化が可能で有り、電力変換器の出力電力密度を向上させることが期待できる。このため、高温での動作を可能とするダイ接合技術の開発が望まれている。本報告では、高温動作に向けてSiCデバイスとDBC基板を接合するための、高温はんだ、および、焼結接合材料について報告する。更に、寄生インダクタンスを抑さえるため開発した、ソース／ゲート電極をアルミバンプ接合する技術についても報告する。
Abstract

The superior properties of silicon carbide (SiC) power devices are expected to have a signify impact on developing next-generation power electric converters. Since SiC power devices can be operated stably even higher junction temperature of 200-250℃, a high-temperature die attachment system has been strongly desired for high power density converters. This report describes a joint technique for solders and sinter materials, which enables to joint between SiC devices and a direct-bond-copper substrate. And also described a novel flip-chip bonding technology with Al bumps for low parasitic inductance circuits.

概要

　熱電対などを設置せず非破壊で物体内部の熱的構造を「見える化」するためには、解析技術だけでなく、計測技術の高度化も必要とされている。このような背景のもと日立では、パワー半導体モジュールのように、部材が層状に積み重なった構造の熱抵抗や熱容量を層毎に測定する内部熱抵抗測定装置を導入した。本発表では、その活用事例の１つとして、ヒートシンク表面温度を熱電対を用いずに計測する手法を紹介する。
Abstract

For visualization of internal thermal structure, the physical understanding is required both numerically and experimentally. Hitachi implemented a facility which provides the cumulative thermal capacitance and the cumulative thermal resistance within the layered structure such as power modules. By using this facility, we developed a non-intrusive heatsink temperature measurement method of direct-cooled power module. In this talk, we introduce how our proposed method works and its advantages.