IEEE SSCS Kansai Chapter Technical Seminar（ISSCC2024国内報告会）

IEEE SSCS Kansai Chapterでは，下記の日程で技術セミナー（ISSCC2024国内報告会）を開催致します．
今回は，半導体集積回路に関する学会ISSCC 2024で講演された方をお招きします．
また，各分野の技術トレンドに関する講演もありますので，是非ともご参加ください．

開催日：2024年3月15日
場所：ベルサール飯田橋駅前 Room1およびオンライン（Zoom）
参加登録:入力フォーム（締切3月12日17時）3月13日にオンライン接続方法に関する連絡をお送りします．
参加費：無料
問い合わせ：ml-ssc-kansaiあっとssc.eei.eng.osaka-u.ac.jp （兼本大輔）

開始終了タイトル発表者（敬称略）所属座長（敬称略）

10:00 10:05 Opening 橋本　隆パナソニック兼本

10:05 10:15 IEEE SSCS Japan Industry Contribution Award 表彰式
受賞者：宮島秀史様（キオクシア）橋本　隆パナソニック兼本

10:15 10:30 ISSCC 2024 概要宮地幸祐信州大学兼本

10:30 10:55 A Load-Variation-Tolerant Doherty Power Amplifier with Dual-Adaptive-Bias Scheme for 5G Handsets 今井翔平村田製作所濱田

10:55 11:20 A 236-to-266GHz 4-Element Amplifier-Last Phased-Array Transmitter in 65nm CMOS Chun Wang 東京工業大学濱田

11:20 11:45 A 7GHz Digital PLL with Cascaded Fractional Divider and Pseudo-Differential DTC Achieving -62.1dBc
Fractional Spur and 143.7fs Integrated Jitter Dingxin Xu 東京工業大学濱田

11:45 12:10 A 23.9TOPS/W @ 0.8V, 130TOPS AI Accelerator with 16× Performance- Accelerable Pruning in 14nm Heterogeneous Embedded MPU for Real- Time Robot Applications 野瀬　浩一ルネサスエレクトロニクス濱田

12:10 13:20 Lunch

13:20 13:30 ISSCC2024 技術トレンド　：　MEM 伊藤　孝ルネサスエレクトロニクス橋本

13:30 13:40 ISSCC2024 技術トレンド　：　RF 濱田裕史 NTT 橋本

13:40 13:50 ISSCC2024 技術トレンド　：　TD 三浦典之大阪大学橋本

13:50 14:00 ISSCC2024 技術トレンド　：　IMMD 濱口　睦シャープ橋本

14:00 14:10 ISSCC2024 技術トレンド　：　SEC 菅原　健電気通信大学橋本

14:10 14:20 Break

14:20 14:45 A 4mW 45pT/√Hz Magnetoimpedance-Based ΔΣ Magnetometer with Background Gain Calibration and Short-Time CDS Techniques 秋田一平産業技術総合研究所深澤

14:45 15:10 A 64.4% Efficiency 5.8GHz RF Wireless Power Transfer Receiver with GaAs E-pHEMT Rectifier and 45.2μs
MPPT Time SIDITO Buck-Boost Converter Using VOC Prediction Scheme 宮地幸祐信州大学深澤

15:10 15:35 Environmentally Friendly Disposable Circuit and Battery System for Reducing Impact of E-Waste 三浦直樹日本電信電話深澤

15:35 15:55 A 818-4094TOPS/W Capacitor-Reconfigured CIM Macro for Unified Acceleration of CNNs and Transformers 吉岡健太郎慶應義塾大学深澤

15:55 16:05 Break

16:05 16:30 A 1Tb Density 3b/Cell 3D-NAND Flash on a 2YY Tier Technology with a 300MB/s Write Throughput 河合鉱一マイクロンジャパン兼本

16:30 16:55 A 22nm 10.8Mb Embedded STT-MRAM Macro Achieving over 200MHz Random-Read Access and a
10.4MB/s Write Throughput with an In-Field Programmable 0.3Mb MTJ-OTP for High-End MC 小川大也ルネサスエレクトロニクス兼本

16:55 17:20 A 3nm FinFET 4.3GHz 21.1Mb/mm2 Double-Pumping 1-Read and 1-Write Pseudo-2-Port SRAM with
Folded-Bitline Multi-Bank Architecture 原口　大 TSMC Design Technology 兼本

17:20 17:45 A 3nm 32.5TOPS/W, 55.0TOPS/mm2 and 3.78Mb/mm2 Fully-Digital Computing-in-Memory Macro
Supporting INT12 x INT12 with a Parallel-MAC Architecture and Foundry 6T SRAM Bit Cell 藤原英弘 TSMC 兼本

17:45 17:50 Closing 島崎靖久ルネサスエレクトロニクス兼本

Last modified: Mar. 1, 2024

開始	終了	タイトル	発表者（敬称略）	所属	座長（敬称略）
10:00	10:05	Opening	橋本　隆	パナソニック	兼本
10:05	10:15	IEEE SSCS Japan Industry Contribution Award 表彰式受賞者：宮島秀史様（キオクシア）	橋本　隆	パナソニック	兼本
10:15	10:30	ISSCC 2024 概要	宮地幸祐	信州大学	兼本
10:30	10:55	A Load-Variation-Tolerant Doherty Power Amplifier with Dual-Adaptive-Bias Scheme for 5G Handsets	今井翔平	村田製作所	濱田
10:55	11:20	A 236-to-266GHz 4-Element Amplifier-Last Phased-Array Transmitter in 65nm CMOS	Chun Wang	東京工業大学	濱田
11:20	11:45	A 7GHz Digital PLL with Cascaded Fractional Divider and Pseudo-Differential DTC Achieving -62.1dBc Fractional Spur and 143.7fs Integrated Jitter	Dingxin Xu	東京工業大学	濱田
11:45	12:10	A 23.9TOPS/W @ 0.8V, 130TOPS AI Accelerator with 16× Performance- Accelerable Pruning in 14nm Heterogeneous Embedded MPU for Real- Time Robot Applications	野瀬　浩一	ルネサスエレクトロニクス	濱田
12:10	13:20	Lunch
13:20	13:30	ISSCC2024 技術トレンド　：　MEM	伊藤　孝	ルネサスエレクトロニクス	橋本
13:30	13:40	ISSCC2024 技術トレンド　：　RF	濱田裕史	NTT	橋本
13:40	13:50	ISSCC2024 技術トレンド　：　TD	三浦典之	大阪大学	橋本
13:50	14:00	ISSCC2024 技術トレンド　：　IMMD	濱口　睦	シャープ	橋本
14:00	14:10	ISSCC2024 技術トレンド　：　SEC	菅原　健	電気通信大学	橋本
14:10	14:20	Break
14:20	14:45	A 4mW 45pT/√Hz Magnetoimpedance-Based ΔΣ Magnetometer with Background Gain Calibration and Short-Time CDS Techniques	秋田一平	産業技術総合研究所	深澤
14:45	15:10	A 64.4% Efficiency 5.8GHz RF Wireless Power Transfer Receiver with GaAs E-pHEMT Rectifier and 45.2μs MPPT Time SIDITO Buck-Boost Converter Using VOC Prediction Scheme	宮地幸祐	信州大学	深澤
15:10	15:35	Environmentally Friendly Disposable Circuit and Battery System for Reducing Impact of E-Waste	三浦直樹	日本電信電話	深澤
15:35	15:55	A 818-4094TOPS/W Capacitor-Reconfigured CIM Macro for Unified Acceleration of CNNs and Transformers	吉岡健太郎	慶應義塾大学	深澤
15:55	16:05	Break
16:05	16:30	A 1Tb Density 3b/Cell 3D-NAND Flash on a 2YY Tier Technology with a 300MB/s Write Throughput	河合鉱一	マイクロンジャパン	兼本
16:30	16:55	A 22nm 10.8Mb Embedded STT-MRAM Macro Achieving over 200MHz Random-Read Access and a 10.4MB/s Write Throughput with an In-Field Programmable 0.3Mb MTJ-OTP for High-End MC	小川大也	ルネサスエレクトロニクス	兼本
16:55	17:20	A 3nm FinFET 4.3GHz 21.1Mb/mm2 Double-Pumping 1-Read and 1-Write Pseudo-2-Port SRAM with Folded-Bitline Multi-Bank Architecture	原口　大	TSMC Design Technology	兼本
17:20	17:45	A 3nm 32.5TOPS/W, 55.0TOPS/mm2 and 3.78Mb/mm2 Fully-Digital Computing-in-Memory Macro Supporting INT12 x INT12 with a Parallel-MAC Architecture and Foundry 6T SRAM Bit Cell	藤原英弘	TSMC	兼本
17:45	17:50	Closing	島崎靖久	ルネサスエレクトロニクス	兼本