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概要:
問合せ先:
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平成19年1月29日(月)9時〜18時30分,30日(火)9時-15時45分
キャンパスイノベーションセンター東京 (東京都港区芝浦)
広瀬全孝氏 (産業技術産業研究所 次世代半導体研究センター長)
Prof. Dimitri Antoniadis (Department of EECS, Microsystems Technology Laboratory, Massachusetts Institute of Technology)
小柳光正氏 (東北大学大学院工学研究科 教授)
平本俊郎氏 (東京大学生産技術研究所 教授)
2006年度で終了するCOEプログラム「テラビット情報ナノエレクトロニクス」の最終成果を中心にして広島大学の半導体技術のホットな話題を報告いたします.世界標準を目指しているMOSデバイスモデル”HiSIM”, 無線インタコネクションと光インタコネクションなど世界をリードする技術を中心に、実機のデモも含めて総合的に紹介いたします。
半導体・エレクトロニクス企業、大学からの多数のご参加を御願いします。
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター長
21世紀COE「テラビット情報ナノエレクトロニクス」リーダー
岩田 穆
角南英夫
〒739-8527 東広島市鏡山1-4-2 広島大学ナノデバイス・システム研究センター
TEL:082-424-6269 FAX:082-424-3499 e-mail:sunami@sxsys.hiroshima-u.ac.jp
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