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広島支部総会 |
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2012年IEEE広島支部総会および特別講演会を下記の通り開催致します。会員の皆様におかれましては,年始等でご多忙の折とは存じますが,是非ともご出席賜りますようお願い申し上げます。IEEE広島支部総会(15:00-16:30)
特別講演会(15:00-16:30)
懇親会 (17:00-18:30)特別講演会終了後,広島市立大学食堂にて,特別講演講師の方などを交 えた懇親会(17:00-18:30)も予定致しております。 誠に恐れ入りますが,懇親会参加人数の把握の為,御参加いただける方は, 2012年1月20日(金)迄に末尾のweb登録あるいはe-mailにてお申し込み頂け れば幸いです。なお,懇親会は約5,000円の会費制とさせていただきます。準備のため事前に、次項目の要領でお申込ください。 連絡先、参加登録および委任状の送付総会,特別講演会,懇親会の参加登録および総会の委任状を,次のいずれかでご連絡ください。
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IEEE広島支部共催講演会 開催案内 |
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この度,IEEEE広島支部では岡山大学において開催される下記の講演会(主催: 岡山大学工学部電気通信系学科通信ネットワークコース)に共催いたします。 理工学分野とは少々内容が異なりますが,学会等でのプレゼンテーションや 学生会員の就職活動等の参考としても大変役に立つ内容ではないかと思われ ます。ご興味がございます方は是非ともご参加頂けますようお願い申し上げ ます。第44回通信ネットワーク工学科(岡山大学)特別講演会
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IEEE広島支部共催講演会 開催案内 |
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IEEEE広島支部では,この度岡山大学において開催される下記の講演会(主催:岡山大学工学部電気通信系学科通信ネットワークコース)を共催いたします。ご興味がございます方は是非ともご参加頂けますようお願い申し上げます。第43回通信ネットワーク工学科(岡山大学)特別講演会
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IEEE広島支部主催講演会 開催案内 |
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IEEE広島支部ではIEEE広島支部主催の講演会を開催致します.多くの皆様のご参加をお願い致します.
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IEEE広島支部主催講演会 開催案内 |
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IEEE広島支部ではIEEE広島支部主催の講演会を開催致します.多くの皆様のご参加をお願い致します.
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IEEE広島支部主催学生向け講演会 開催案内 |
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IEEE広島支部では第13回IEEE広島支部学生シンポジウムを開催するにあたり,下記の小講演会を開催したいと思います。ご興味のございます方は,是非,ご参加頂けますようお願い申し上げます。
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IEEE Hiroshima Student Symposium の開催について
のお知らせ
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| 日時: | 2011年 11月12日(土), 13日(日) |
| 場所: | 広島大学東広島キャンパス 学士会館・法学部経済学部棟 |
| 主催: | IEEE広島支部 |
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振るってご投稿をお願いいたします. 第13回HISSの詳細についてはこちら |
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2010年IEEE広島支部功績賞贈呈のお知らせ
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2010年功績賞受賞者を選定して,次の方に贈呈いたしました. |
| 受賞者: | 神成 直輝(日本電気株式会社) |
| 功績対象の業績: | 初回の学生シンポジウム(HISS)を実現しその後の発展の基盤を固めた。 |
| 贈呈式: | 2011年総会 |
| 受賞者: | 市川 忠男(広島大学名誉教授) |
| 功績対象の業績: | 初回のIEEE 広島支部学生シンポジウム(HISS)を成功裏に実現し,本支部ならびにHISS の発展の基盤を固められたこと。 |
| 贈呈式: | 2011年総会 |
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IEEE広島支部Student会員支援制度
のお知らせ
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IEEE広島支部 国内学生発表奨励支援制度 のお知らせ |
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IEEE広島支部功績賞規定および功績者選定手続について
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詳細についてはこちら |
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2009年IEEE広島支部功績賞贈呈のお知らせ
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本支部功績賞規定(2007年11月25日制定)により2009年功績賞受賞者を選定して,次の方に贈呈いたしました. |
| 受賞者: | 雛元 孝夫氏 (広島大学名誉教授) |
| 功績対象の業績: | 支部設立発起人かつ暫定支部長としての支部構想の策定とその実現に係わる功績 |
| 贈呈式: | 2010年総会 |
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角南英夫教授 2006年IEEE Jun’ichi Nishizawa Medalの受賞決定
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広島大学ナノデバイス・システム研究センター教授の角南英夫氏は,東北大学の小柳光正教授および日立製作所の伊藤清男氏と共に,コンピュータメモリ技術を革新した発明者として2006年IEEE Jun’ichi Nishizawa Medalを授与されることが決定した.6月24日,米国ミネソタ州ミネアポリスで開催されるIEEE Honors Ceremonyにおいて授与される.
3氏は,今日のパソコン,ワークステーションなどにおいて最も一般的なランダムアクセスメモリであるDRAM(動的ランダムアクセス記憶装置)の進化を可能にしたDRAMセル構造およびアーキテクチャの3つの主要な発明を行った.発明から30年経た今日でも,これらのセルはDRAM業界におけるデファクトスタンダードとなっている.
角南氏は,4Kb DRAMがまだ業界スタンダードであった1975年当時,時代に先んじてトレンチ・キャパシタセルを発明した.トレンチ・キャパシタは,高アスペクト比トレンチに関するドライエッチング,および欠陥制御や検査技術の開発を牽引した.今日,このセルは汎用DRAM製品およびDRAM内臓LSI用として広く使われている.
IEEEフェローの角南氏は,IEEE Cledo Brunetti Award,IEEE電子デバイス分科会(EDS:Electron Devices Society)のPaul Rappaport Award,東京都発明功労賞などを受賞している.また,2003-2004年のIEEE広島支部支部長を歴任されている.
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